Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 1312.3 JPY
Availability: InStock

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GT50JR22(STA1,E,S)
DigiKey製品番号	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	GT50JR22(STA1,E,S)
商品概要	IGBT 600V 50A TO-3P
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	IGBT 600 V 50 A 230 W スルーホール TO-3P（N）
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ IGBT シングルIGBT	Vce（on）（最大） @ Vge、Ic 2.2V @ 15V、50A
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	電力 - 最大 230 W
梱包形態チューブ	入力タイプ標準
部品状況アクティブ	動作温度 175°C（TJ）
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 600 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 50 A	パッケージ/ケース TO-3P-3、SC-65-3
電流 - パルス形コレクタ（Icm） 100 A	サプライヤデバイスパッケージ TO-3P（N）