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STMicroelectronics
在庫あり: 968
単価 : ¥2,443.00000
データシート
Nチャンネル 1200 V 36A(Tc) 238W(Tc) 面実装 H2PAK-7
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タシートを参照ください。

SCTH40N120G2V-7

DigiKey製品番号
497-SCTH40N120G2V-7TR-ND - テープ&リール(TR)
497-SCTH40N120G2V-7CT-ND - カット テープ(CT)
497-SCTH40N120G2V-7DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー
メーカー製品番号
SCTH40N120G2V-7
商品概要
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 1200 V 36A(Tc) 238W(Tc) 面実装 H2PAK-7
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
SCTH40N120G2V-7 モデル
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
シリーズ
-
梱包形態
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
部品状況
生産中止品
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
18V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
100ミリオーム @ 20A、18V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4.9V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
61 nC @ 18 V
Vgs(最大)
+22V、-10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
1233 pF @ 800 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
238W(Tc)
動作温度
-55°C~175°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
H2PAK-7
ベース品番
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生産中止品
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