Name: GP2T030A170H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP2T030A170H-ND
Price: 5542.9 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 20mA
メーカー SemiQ	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 233 nC @ 20 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +25V、-10V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6202 pF @ 1200 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 564W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1700 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 83A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 20V	パッケージ/ケース TO-247-4
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 36ミリオーム @ 60A、20V