型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | SemiQ | |
シリーズ | ||
梱包形態 | トレイ | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | シリコンカーバイド(SiC) | |
構成 | 6Nチャンネル(3相ブリッジ) | |
FET機能 | - | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 30A(Tc) | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 25ミリオーム @ 40A、18V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4V @ 20mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 235nC @ 18V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 6200pF @ 800V | |
電力 - 最大 | 263W(Tc) | |
動作温度 | -40°C~175°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | シャーシマウント | |
パッケージ/ケース | モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | - |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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1 | ¥11,471.00000 | ¥11,471 |
10 | ¥8,871.20000 | ¥88,712 |
単価(消費税抜き): | ¥11,471.00000 |
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単価(消費税込み): | ¥12,618.10000 |