SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | ディスクリート半導体製品

SCT2H12NYTB
DigiKey製品番号	SCT2H12NYTBTR-ND - テープ＆リール（TR） SCT2H12NYTBCT-ND - カットテープ（CT） SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Rohm Semiconductor
メーカー製品番号	SCT2H12NYTB
商品概要	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 1700 V 4A（Tc） 44W（Tc）面実装 TO-268
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SCT2H12NYTB モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Rohm Semiconductor
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	1700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	4A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	18V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	1.5オーム @ 1.1A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 410µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	14 nC @ 18 V
Vgs（最大）	+22V、-6V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	184 pF @ 800 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	44W（Tc）
動作温度	175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-268
パッケージ/ケース	TO-268-3、D3PAK（2リード + タブ）、TO-268AA
ベース品番	SCT2H12