Name: FDMS4435BZ
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDMS4435BZ-ND
Price: 75.72078 JPY
Availability: InStock

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FDMS4435BZ
DigiKey製品番号	2156-FDMS4435BZ-ND
メーカー	Fairchild Semiconductor
メーカー製品番号	FDMS4435BZ
商品概要	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 30 V 9A（Ta）、18A（Tc） 2.5W（Ta）、39W（Tc）面実装 8-PQFN（5x6）
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Fairchild Semiconductor
シリーズ	PowerTrench®
梱包形態	バルク
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	9A（Ta）、18A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	20ミリオーム @ 9A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	47 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±25V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2050 pF @ 15 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.5W（Ta）、39W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-PQFN（5x6）
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN