Name: TP65H070G4PS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070G4PS-ND
Price: 1467.4 JPY
Availability: InStock

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TP65H070G4PS
DigiKey製品番号	1707-TP65H070G4PS-ND
メーカー	Renesas Electronics Corporation
メーカー製品番号	TP65H070G4PS
商品概要	GANFET N-CH 650V 29A TO220
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 29A（Tc） 96W（Tc）スルーホール TO-220AB
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 85ミリオーム @ 18A、10V
メーカー Renesas Electronics Corporation	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.7V @ 700µA
シリーズ SuperGaN®	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 9 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 638 pF @ 400 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 96W（Tc）
技術 GaNFET（窒化ガリウム）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 29A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-220-3