Name: AMTP65H150G4PS
Brand: Analog Power Inc.
SKU: 5318-AMTP65H150G4PS-ND
Price: 1798.5 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 1V @ 250µA
メーカー Analog Power Inc.	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 8 nC @ 6 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 598 pF @ 400 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 300W（Tc）
技術 GaNFET（窒化ガリウム）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 13A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-220
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-220-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 150ミリオーム @ 10A、10V

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TP65H070G4PS

GANFET N-CH 650V 29A TO220

Renesas Electronics Corporation

AMTP65H150G4PS