Name: TP65H050G4BS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H050G4BS-ND
Price: 2515.7 JPY
Availability: InStock

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TP65H050G4BS
DigiKey製品番号	1707-TP65H050G4BS-ND
メーカー	Renesas Electronics Corporation
メーカー製品番号	TP65H050G4BS
商品概要	650 V 34 A GAN FET
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 34A（Tc） 119W（Tc）面実装 TO-263
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Renesas Electronics Corporation
シリーズ	SuperGaN®
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	GaNFET（窒化ガリウム）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	34A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	60ミリオーム @ 22A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4.8V @ 700µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	24 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1000 pF @ 400 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	119W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-263
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	TP65H050