Name: RBE111N10R1SZN2#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE111N10R1SZN2#HB0TR-ND
Price: 320.1 JPY
Availability: OutOfStock

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RBA40N10EANS-5UA11#HB0

Renesas Electronics Corporation

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Nチャンネル 100 V 40A（Tc） 57W（Tc）面実装、濡れ性フランク μSO8-FL

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RBE111N10R1SZN2#HB0
DigiKey製品番号	559-RBE111N10R1SZN2#HB0TR-ND - テープ＆リール（TR） 559-RBE111N10R1SZN2#HB0CT-ND - カットテープ（CT） 559-RBE111N10R1SZN2#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Renesas Electronics Corporation
メーカー製品番号	RBE111N10R1SZN2#HB0
商品概要	MOSFET N-CH 100V 40A SO8-FL
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 40A（Tc） 57W（Tc）面実装、濡れ性フランク μSO8-FL
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 28µA
メーカー Renesas Electronics Corporation	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 27 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1700 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 57W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装、濡れ性フランク
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 40A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ μSO8-FL
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 11.1ミリオーム @ 20A、10V