Name: RBE029N10R1SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND
Price: 566.5 JPY
Availability: InStock

新製品

Nチャンネル 100 V 160A（Tc） 165W（Tc）面実装 8-DFN（4.9x5.75）

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RBE029N10R1SZN6#HB0
DigiKey製品番号	559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND - テープ＆リール（TR） 559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND - カットテープ（CT） 559-RBE029N10R1SZN6#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Renesas Electronics Corporation
メーカー製品番号	RBE029N10R1SZN6#HB0
商品概要	MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 160A（Tc） 165W（Tc）面実装 8-DFN（4.9x5.75）
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 109µA
メーカー Renesas Electronics Corporation	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 91 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6500 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 165W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 160A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ 8-DFN（4.9x5.75）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.9ミリオーム @ 80A、10V