NP80N06PLG-E1B-AY
DigiKey製品番号	NP80N06PLG-E1B-AYTR-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー	Renesas Electronics Corporation
メーカー製品番号	NP80N06PLG-E1B-AY
商品概要	MOSFET N-CH 60V 80A TO263
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 80A（Tc） 1.8W（Ta）、115W（Tc）面実装 TO-263
データシート	データシート
EDA/CADモデル	NP80N06PLG-E1B-AY モデル

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 128 nC @ 10 V
メーカー Renesas Electronics Corporation	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6900 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 1.8W（Ta）、115W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 80A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 8.3ミリオーム @ 40A、10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
BUK768R3-60E,118	Nexperia USA Inc.	434	1727-7258-1-ND	¥470.00000	類似
IPB081N06L3GATMA1	Infineon Technologies	5,302	IPB081N06L3GATMA1CT-ND	¥357.00000	類似
IPB090N06N3GATMA1	Infineon Technologies	0	IPB090N06N3GATMA1CT-ND	¥326.00000	類似
IRF1018ESTRLPBF	Infineon Technologies	3	IRF1018ESTRLPBFCT-ND	¥392.00000	類似
IRF3205STRLPBF	Infineon Technologies	1,435	IRF3205STRLPBFCT-ND	¥427.00000	類似

NP80N06PLG-E1B-AY