Name: IPB081N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB081N06L3GATMA1TR-ND
Price: 458.7 JPY
Availability: InStock

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IPB081N06L3GATMA1
DigiKey製品番号	IPB081N06L3GATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPB081N06L3GATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPB081N06L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB081N06L3GATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	17 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 50A（Tc） 79W（Tc）面実装 PG-TO263-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB081N06L3GATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.2V @ 34µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 29 nC @ 4.5 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4900 pF @ 30 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 79W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 50A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 IPB081
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 8.1ミリオーム @ 50A、10V

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