型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | onsemi | |
シリーズ | - | |
梱包形態 | トレイ | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | MOSFET(金属酸化物) | |
構成 | Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) | |
FET機能 | - | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 80V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 200A(Tj) | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 0.99ミリオーム @ 80A、10V、1.35ミリオーム @ 80A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 195nC @ 10V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 14000pF @ 40V | |
電力 - 最大 | - | |
動作温度 | 175°C(TJ) | |
グレード | 自動車 | |
認定 | AEC-Q100 | |
取り付けタイプ | スルーホール | |
パッケージ/ケース | 12-PowerDIPモジュール(1.118インチ、28.40mm) | |
サプライヤデバイスパッケージ | APM12-CBA |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3,201.00000 | ¥3,201 |
| 10 | ¥2,292.20000 | ¥22,922 |
| 288 | ¥1,806.95833 | ¥520,404 |
| 単価(消費税抜き): | ¥3,201.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥3,521.10000 |

