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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA |
メーカー onsemi | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 195nC @ 10V |
梱包形態 トレイ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 14000pF @ 40V |
部品状況 アクティブ | 動作温度 175°C（TJ） |
技術 MOSFET（金属酸化物） | グレード 自動車 |
構成 Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） | 認定 AEC-Q100 |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80V | 取り付けタイプ スルーホール |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 200A（Tj） | パッケージ/ケース 12-PowerDIPモジュール（1.118インチ、28.40mm） |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 0.99ミリオーム @ 80A、10V、1.35ミリオーム @ 80A、10V | サプライヤデバイスパッケージ APM12-CBA |
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在庫：204個
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トレイ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3,491.00000 | ¥3,491 |
| 10 | ¥2,506.80000 | ¥25,068 |
| 288 | ¥1,997.32986 | ¥575,231 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥3,491.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥3,840.10000 |
