NXH020F120MNF1PG
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
NXH020F120MNF1PG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH020F120MNF1PG

DigiKey製品番号
5556-NXH020F120MNF1PG-ND
メーカー
メーカー製品番号
NXH020F120MNF1PG
商品概要
MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
メーカーの標準リードタイム
17 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 51A(Tc) 119W(Tj) シャーシマウント 22-PIM(33.8x42.5)
データシート
 データシート
製品属性
商品概要
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カテゴリ
メーカー
onsemi
シリーズ
-
梱包形態
トレイ
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド(SiC)
構成
4個のNチャンネル(フルブリッジ)
FET機能
-
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
1200V(1.2kV)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
51A(Tc)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
30ミリオーム @ 50A、20V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4.3V @ 20mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
213.5nC @ 20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
2420pF @ 800V
電力 - 最大
119W(Tj)
動作温度
-40°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
22-PIM(33.8x42.5)
ベース品番
製品に関する質問と回答

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在庫:27個
メーカー在庫 28
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トレイ
数量 単価 請求価格
1¥20,863.00000¥20,863
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メーカーの標準パッケージ
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単価(消費税抜き):¥20,863.00000
単価(消費税込み):¥22,949.30000