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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 4.3V @ 20mA |
メーカー onsemi | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 213.5nC @ 20V |
梱包形態 トレイ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2420pF @ 800V |
部品状況 アクティブ | 電力 - 最大 119W（Tj） |
技術 シリコンカーバイド（SiC） | 動作温度 -40°C～175°C（TJ） |
構成 4個のNチャンネル（フルブリッジ） | 取り付けタイプ シャーシマウント |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200V（1.2kV） | パッケージ/ケース モジュール |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 51A（Tc） | サプライヤデバイスパッケージ 22-PIM（33.8x42.5） |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 30ミリオーム @ 50A、20V | ベース品番 |
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在庫：28個
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| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥27,390.00000 | ¥27,390 |
| 28 | ¥23,428.14286 | ¥655,988 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥27,390.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥30,129.00000 |
