型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | onsemi | |
シリーズ | - | |
梱包形態 | トレイ | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | シリコンカーバイド(SiC) | |
構成 | Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) | |
FET機能 | - | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 191A(Tc) | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 8ミリオーム @ 100A、18V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4.4V @ 80mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 622nC @ 20V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 11914pF @ 800V | |
電力 - 最大 | 556W(Tc) | |
動作温度 | -40°C~175°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | シャーシマウント | |
パッケージ/ケース | モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | 36-PIM(56.7x62.8) | |
ベース品番 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23,592.00000 | ¥23,592 |
| 20 | ¥20,954.35000 | ¥419,087 |
| 単価(消費税抜き): | ¥23,592.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥25,951.20000 |

