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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 4.4V @ 80mA |
メーカー onsemi | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 622nC @ 20V |
梱包形態 トレイ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 11914pF @ 800V |
部品状況 アクティブ | 電力 - 最大 556W（Tc） |
技術 シリコンカーバイド（SiC） | 動作温度 -40°C～175°C（TJ） |
構成 Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） | 取り付けタイプ シャーシマウント |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200V（1.2kV） | パッケージ/ケース モジュール |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 191A（Tc） | サプライヤデバイスパッケージ 36-PIM（56.7x62.8） |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 8ミリオーム @ 100A、18V | ベース品番 |
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| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥25,629.00000 | ¥25,629 |
| 20 | ¥21,680.65000 | ¥433,613 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥25,629.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥28,191.90000 |
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