Name: NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND
Price: 519.2 JPY
Availability: InStock

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NTTFS1D2N02P1E
DigiKey製品番号	488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND - テープ＆リール（TR） 488-NTTFS1D2N02P1ECT-ND - カットテープ（CT） 488-NTTFS1D2N02P1EDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	NTTFS1D2N02P1E
商品概要	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 25 V 23A（Ta）、180A（Tc） 820mW（Ta）、52W（Tc）面実装 8-PQFN（3.3x3.3）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	NTTFS1D2N02P1E モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	onsemi
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	25 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	23A（Ta）、180A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	1ミリオーム @ 38A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2V @ 934µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	24 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	+16V、-12V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	4040 pF @ 13 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	820mW（Ta）、52W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-PQFN（3.3x3.3）
パッケージ/ケース	8-PowerWDFN
ベース品番	NTTFS1