類似
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型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | onsemi | |
シリーズ | - | |
梱包形態 | テープ&リール(TR) | |
部品状況 | 生産中止品 | |
技術 | MOSFET(金属酸化物) | |
構成 | 2 Nチャンネル(デュアル) | |
FET機能 | 論理レベルゲート | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 20V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 4.3A、3.6A | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 60ミリオーム @ 4.3A、4.5V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 2V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 4nC @ 4.5V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 480pF @ 10V | |
電力 - 最大 | 1.74W | |
動作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | 6-VDFN露出パッド | |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-DFN(3x3) | |
ベース品番 |


