Nチャンネル 650 V 55A（Tc） 227W（Tc） 面実装 8-HPSOF
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NTBL032N065M3S

DigiKey製品番号
488-NTBL032N065M3S-ND
メーカー
onsemi
メーカー製品番号
NTBL032N065M3S
商品概要
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
メーカーの標準リードタイム
21 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 650 V 55A（Tc） 227W（Tc） 面実装 8-HPSOF
データシート
 データシート
製品属性
型
商品概要
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カテゴリ
メーカー
onsemi
シリーズ
-
梱包形態
バルク
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
55A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
15V、18V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
44ミリオーム @ 15A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）
4V @ 7.5mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
55 nC @ 18 V
Vgs（最大）
+22V、-8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
1396 pF @ 400 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
227W（Tc）
動作温度
-55°C～175°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
8-HPSOF
パッケージ/ケース
8-PowerSFN
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バルク
数量 単価 請求価格
1¥1,393.00000¥1,393
10¥949.80000¥9,498
100¥698.91000¥69,891
500¥606.24600¥303,123
単価（消費税抜き）:¥1,393.00000
単価（消費税込み）:¥1,532.30000
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