Name: NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 488-NTBL023N065M3S-ND
Price: 2764.3 JPY
Availability: InStock

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NTBL023N065M3S
DigiKey製品番号	488-NTBL023N065M3S-ND
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	NTBL023N065M3S
商品概要	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 77A（Tc） 312W（Tc）面実装 8-HPSOF
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	onsemi
シリーズ	-
梱包形態	バルク
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	77A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	15V、18V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	32.6ミリオーム @ 20A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 10mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	69 nC @ 18 V
Vgs（最大）	+22V、-8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1950 pF @ 400 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	312W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-HPSOF
パッケージ/ケース	8-PowerSFN