Name: NTBG030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG030N120M3STR-ND
Price: 2137.3 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

NTBG030N120M3S
DigiKey製品番号	5556-NTBG030N120M3STR-ND - テープ＆リール（TR） 5556-NTBG030N120M3SCT-ND - カットテープ（CT） 5556-NTBG030N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	NTBG030N120M3S
商品概要	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
メーカーの標準リードタイム	19 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 1200 V 77A（Tc） 348W（Tc）面実装 D2PAK-7
データシート	データシート
EDA/CADモデル	NTBG030N120M3S モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	onsemi
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	77A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	18V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	39ミリオーム @ 30A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4.4V @ 15mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	107 nC @ 18 V
Vgs（最大）	+22V、-10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2430 pF @ 800 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	348W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	D2PAK-7
パッケージ/ケース	TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA