FDP18N20F onsemi | シングルFET、MOSFET

FDP18N20F は生産中止品です。現在は生産されていません。

購入可能な代替品:

メーカー推奨品

onsemi

在庫あり: 398

単価 : ¥390.00000

直接

Infineon Technologies

在庫あり: 26,658

単価 : ¥495.00000

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 26 nC @ 10 V
シリーズ UniFET™	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1180 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 100W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 200 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 18A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FDP18
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 145ミリオーム @ 9A、10V