FDP047N10 onsemi | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 210 nC @ 10 V
シリーズ PowerTrench®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 15265 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 375W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 120A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FDP047
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 4.7ミリオーム @ 75A、10V

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関連リソース

代替品リスト（4）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
DMTH10H005LCT	Diodes Incorporated	40	DMTH10H005LCT-ND	¥592.00000	類似
IPP048N12N3GXKSA1	Infineon Technologies	121	IPP048N12N3GXKSA1-ND	¥1,027.00000	類似
IRF100B201	Infineon Technologies	0	IRF100B201-ND	¥604.00000	類似
STP150N10F7	STMicroelectronics	1,036	497-14570-5-ND	¥657.00000	類似

在庫：55個

この製品はもう製造されていないため、在庫切れになったときに在庫が積み増されることはありません。代替品を表示します。

数量

価格はすべてJPYです

チューブ

数量	単価	請求価格
1	¥904.00000	¥904
50	¥474.30000	¥23,715

メーカーの標準パッケージ

注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。

単価（消費税抜き）:	¥904.00000
単価（消費税込み）:	¥994.40000

FDP047N10