Name: IPP048N12N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP048N12N3GXKSA1-ND
Price: 1129.7 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 230µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 182 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 12000 pF @ 60 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 300W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 120 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3-1
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 100A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPP048
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 4.8ミリオーム @ 100A、10V

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