Name: FDP047AN08A0
Brand: onsemi
SKU: FDP047AN08A0FS-ND
Price: 808.5 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 138 nC @ 10 V
シリーズ PowerTrench®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6600 pF @ 25 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 310W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 75 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 15A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	ベース品番 FDP047
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 4.7ミリオーム @ 80A、10V

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関連リソース

代替品リスト（10）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
CSD19506KCS	Texas Instruments	333	296-37169-5-ND	¥956.00000	類似
IRF1405ZPBF	Infineon Technologies	601	IRF1405ZPBF-ND	¥720.00000	類似
IRFB3077PBF	Infineon Technologies	2,265	IRFB3077PBF-ND	¥806.00000	類似
IRFB3207PBF	Infineon Technologies	1,177	IRFB3207PBF-ND	¥665.00000	類似
IRFB3207ZPBF	Infineon Technologies	4,997	IRFB3207ZPBF-ND	¥627.00000	類似