Name: CSD19506KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-37169-5-ND
Price: 1051.6 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.2V @ 250µA
メーカー Texas Instruments	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 156 nC @ 10 V
シリーズ NexFET™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 12200 pF @ 40 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 375W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 100A（Ta）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	ベース品番 CSD19506
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.3ミリオーム @ 100A、10V

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単価（消費税込み）:	¥1,051.60000

CSD19506KCS