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FDP039N08B-F102 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | FDP039N08B-F102-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | FDP039N08B-F102 |
商品概要 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
メーカーの標準リードタイム | 32 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 80 V 120A（Tc） 214W（Tc） スルーホール TO-220-3 |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | FDP039N08B-F102 モデル |
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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 250µA |
メーカー | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 133 nC @ 10 V |
シリーズ | Vgs（最大） ±20V |
梱包形態 チューブ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 9450 pF @ 40 V |
部品状況 アクティブ | 電力散逸（最大） 214W（Tc） |
FETタイプ | 動作温度 -55°C～175°C（TJ） |
技術 | 取り付けタイプ スルーホール |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V | サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3 |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | パッケージ/ケース |
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V | ベース品番 |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3.9ミリオーム @ 100A、10V |
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関連リソース
代替品リスト（2）
| 品番 | メーカー | 在庫数量 | DigiKey製品番号 | 単価 | 代替品のタイプ |
|---|---|---|---|---|---|
| TK65E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 186 | TK65E10N1S1X-ND | ¥722.00000 | 類似 |
| FDP039N08B-F102 | Rochester Electronics, LLC | 399 | 2156-FDP039N08B-F102ND-ND | ¥859.34545 | パラメータ等価 |
在庫：18個
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価格はすべてJPYです
チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1,531.00000 | ¥1,531 |
| 10 | ¥1,049.30000 | ¥10,493 |
| 100 | ¥776.44000 | ¥77,644 |
| 800 | ¥686.03375 | ¥548,827 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥1,531.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥1,684.10000 |
