Name: TK65E10N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK65E10N1S1X-ND
Price: 728.2 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

TK65E10N1,S1X
DigiKey製品番号	TK65E10N1S1X-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK65E10N1,S1X
商品概要	MOSFET N CH 100V 148A TO220
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 148A（Ta） 192W（Tc）スルーホール TO-220
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK65E10N1,S1X モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSVIII-H
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	148A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	4.8ミリオーム @ 32.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	81 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	5400 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	192W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220
パッケージ/ケース	TO-220-3
ベース品番	TK65E10