Name: TK65E10N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK65E10N1S1X-ND
Price: 794.2 JPY
Availability: InStock

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TK65E10N1,S1X
DigiKey製品番号	TK65E10N1S1X-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK65E10N1,S1X
商品概要	MOSFET N CH 100V 148A TO220
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 148A（Ta） 192W（Tc）スルーホール TO-220
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK65E10N1,S1X モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 1mA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 81 nC @ 10 V
シリーズ U-MOSVIII-H	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 5400 pF @ 50 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 192W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 148A（Ta）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 TK65E10
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 4.8ミリオーム @ 32.5A、10V

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単価（消費税抜き）:	¥722.00000
単価（消費税込み）:	¥794.20000

TK65E10N1,S1X