Name: FDP030N06B-F102
Brand: onsemi
SKU: FDP030N06B-F102-ND
Price: 586.3 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 99 nC @ 10 V
シリーズ PowerTrench®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 8030 pF @ 30 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 205W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 120A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FDP030
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3.1ミリオーム @ 100A、10V

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単価（消費税込み）:	¥586.30000

FDP030N06B-F102