Name: FDMC4435BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMC4435BZTR-ND
Price: 317.9 JPY
Availability: InStock

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FDMC4435BZ
DigiKey製品番号	FDMC4435BZTR-ND - テープ＆リール（TR） FDMC4435BZCT-ND - カットテープ（CT） FDMC4435BZDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	FDMC4435BZ
商品概要	MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
メーカーの標準リードタイム	37 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 30 V 8.5A（Ta）、18A（Tc） 2.3W（Ta）、31W（Tc）面実装 8-MLP（3.3x3.3）
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 46 nC @ 10 V
シリーズ PowerTrench®	Vgs（最大） ±25V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2045 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 2.3W（Ta）、31W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ 8-MLP（3.3x3.3）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 8.5A（Ta）、18A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 FDMC4435
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 20ミリオーム @ 8.5A、10V

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関連リソース

代替品リスト（6）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
ECH8310-TL-H	onsemi	4,101	ECH8310-TL-HOSCT-ND	¥244.00000	類似
ECH8315-TL-H	onsemi	2,385	ECH8315-TL-HOSCT-ND	¥206.00000	類似
BSZ180P03NS3EGATMA1	Infineon Technologies	23,522	BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND	¥161.00000	類似
BSZ180P03NS3GATMA1	Infineon Technologies	7,179	448-BSZ180P03NS3GATMA1CT-ND	¥184.00000	類似
DMP3036SFG-13	Diodes Incorporated	2,291	31-DMP3036SFG-13CT-ND	¥176.00000	類似