Name: BSZ180P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 177.1 JPY
Availability: InStock

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BSZ180P03NS3EGATMA1
DigiKey製品番号	BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSZ180P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSZ180P03NS3EGATMA1
商品概要	MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 30 V 9A（Ta）、39.5A（Tc） 2.1W（Ta）、40W（Tc）面実装 PG-TSDSON-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSZ180P03NS3EGATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.1V @ 48µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 30 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±25V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2220 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 2.1W（Ta）、40W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TSDSON-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 9A（Ta）、39.5A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	ベース品番 BSZ180
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 18ミリオーム @ 20A、10V

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