Name: FDB3632
Brand: onsemi
SKU: FDB3632TR-ND
Price: 808.5 JPY
Availability: InStock

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FDB3632
DigiKey製品番号	FDB3632TR-ND - テープ＆リール（TR） FDB3632CT-ND - カットテープ（CT） FDB3632DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	FDB3632
商品概要	MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	41 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 12A（Ta）、80A（Tc） 310W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	FDB3632 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 110 nC @ 10 V
シリーズ PowerTrench®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6000 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 310W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 12A（Ta）、80A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	ベース品番 FDB363
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 9ミリオーム @ 80A、10V