カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 110 nC @ 10 V
メーカー onsemi	Vgs（最大） ±20V
シリーズ PowerTrench®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6000 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）	電力散逸（最大） 310W（Tc）
部品状況生産中止品	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 12A（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 9ミリオーム @ 80A、10V	ベース品番 FDB3632
Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
BUK768R1-100E,118	Nexperia USA Inc.	5,764	1727-1062-1-ND	¥661.00000	直接
BUK969R3-100E,118	Nexperia USA Inc.	0	1727-1064-2-ND	¥216.53875	類似
IRFS4410ZTRLPBF	Infineon Technologies	2,421	IRFS4410ZTRLPBFCT-ND	¥500.00000	類似
IXFA130N10T2	IXYS	983	238-IXFA130N10T2-ND	¥1,251.00000	類似
RSJ650N10TL	Rohm Semiconductor	260	RSJ650N10TLCT-ND	¥1,338.00000	類似

FDB3632-F085