Name: FDB047N10
Brand: onsemi
SKU: FDB047N10TR-ND
Price: 953.7 JPY
Availability: InStock

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FDB047N10
DigiKey製品番号	FDB047N10TR-ND - テープ＆リール（TR） FDB047N10CT-ND - カットテープ（CT） FDB047N10DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	FDB047N10
商品概要	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	27 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 120A（Tc） 375W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	FDB047N10 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 210 nC @ 10 V
シリーズ PowerTrench®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 15265 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 375W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 120A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FDB047
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 4.7ミリオーム @ 75A、10V

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関連リソース

代替品リスト（8）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
SUM70040M-GE3	Vishay Siliconix	15,048	SUM70040M-GE3CT-ND	¥722.00000	直接
IPB038N12N3GATMA1	Infineon Technologies	9,469	IPB038N12N3GATMA1CT-ND	¥1,067.00000	類似
IPB042N10N3GATMA1	Infineon Technologies	18,244	IPB042N10N3GATMA1CT-ND	¥564.00000	類似
IRF3808STRLPBF	Infineon Technologies	1,184	IRF3808STRLPBFCT-ND	¥832.00000	類似
PHB27NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	4,804	1727-4763-1-ND	¥370.00000	類似