Name: IRF3808STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3808STRLPBFTR-ND
Price: 781 JPY
Availability: InStock

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IRF3808STRLPBF
DigiKey製品番号	IRF3808STRLPBFTR-ND - テープ＆リール（TR） IRF3808STRLPBFCT-ND - カットテープ（CT） IRF3808STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IRF3808STRLPBF
商品概要	MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	35 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 75 V 106A（Tc） 200W（Tc）面実装 D2PAK
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IRF3808STRLPBF モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 220 nC @ 10 V
シリーズ HEXFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 5310 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 200W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 75 V	サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 106A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IRF3808
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 7ミリオーム @ 82A、10V