Name: PXN8R3-30QLJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PXN8R3-30QLJTR-ND
Price: 88 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

PXN8R3-30QLJ
DigiKey製品番号	1727-PXN8R3-30QLJTR-ND - テープ＆リール（TR） 1727-PXN8R3-30QLJCT-ND - カットテープ（CT） 1727-PXN8R3-30QLJDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Nexperia USA Inc.
メーカー製品番号	PXN8R3-30QLJ
商品概要	PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 11.4A（Ta）、31A（Tc） 1.7W（Ta）、12.5W（Tc）面実装 MLPAK33
データシート	データシート
EDA/CADモデル	PXN8R3-30QLJ モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Nexperia USA Inc.
シリーズ	TrenchMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	11.4A（Ta）、31A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	8.3ミリオーム @ 11.4A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	15.9 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	760 pF @ 15 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1.7W（Ta）、12.5W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	MLPAK33
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN