BUK962R8-60E,118 Nexperia USA Inc. | ディスクリート半導体製品

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Nexperia USA Inc.
シリーズ	TrenchMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT）
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	120A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	2.5ミリオーム @ 25A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.1V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	92 nC @ 5 V
Vgs（最大）	±10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	15600 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	324W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	D2PAK
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	BUK962