Nチャンネル 1200 V 75A（Tc） 374W（Tc） 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル 1200 V 75A（Tc） 374W（Tc） 面実装 TO-263-7
TO-263-7

G3R40MT12J

DigiKey製品番号
1913-G3R40MT12J-ND
メーカー
Navitas Semiconductor, Inc.
メーカー製品番号
G3R40MT12J
商品概要
SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 1200 V 75A（Tc） 374W（Tc） 面実装 TO-263-7
データシート
 データシート
製品属性
型
商品概要
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カテゴリ
メーカー
Navitas Semiconductor, Inc.
シリーズ
G3R™
梱包形態
チューブ
部品状況
購入可能最終日あり
FETタイプ
Nチャンネル
技術
SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
75A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
15V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
48ミリオーム @ 35A、15V
Id印加時のVgs（th）（最大）
2.7V @ 18mA（標準）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
106 nC @ 15 V
Vgs（最大）
±15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
2929 pF @ 800 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
374W（Tc）
動作温度
-55°C～175°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
TO-263-7
パッケージ/ケース
TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
ベース品番
G3R40
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最終購入期限：2026/05/31
数量
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1¥3,816.00000¥3,816
50¥2,302.86000¥115,143
メーカーの標準パッケージ
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単価（消費税込み）:¥4,197.60000