Name: G3R40MT12J
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R40MT12J-ND
Price: 4197.6 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.7V @ 18mA（標準）
メーカー Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 106 nC @ 15 V
シリーズ G3R™	Vgs（最大） ±15V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2929 pF @ 800 V
部品状況購入可能最終日あり	電力散逸（最大） 374W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263-7
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 75A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V	ベース品番 G3R40
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 48ミリオーム @ 35A、15V

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関連リソース

代替品リスト（1）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
G3F34MT12J-TR	Navitas Semiconductor, Inc.	800	1913-G3F34MT12J-TRCT-ND	¥3,295.00000	メーカー推奨品

在庫：93個

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最終購入期限：2026/05/31

数量

価格はすべてJPYです

チューブ

数量	単価	請求価格
1	¥3,816.00000	¥3,816
50	¥2,302.86000	¥115,143

メーカーの標準パッケージ

注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。

単価（消費税抜き）:	¥3,816.00000
単価（消費税込み）:	¥4,197.60000

G3R40MT12J