Name: G3F34MT12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F34MT12J-TR-ND
Price: 3624.5 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

G3F34MT12J-TR
DigiKey製品番号	1913-G3F34MT12J-TR-ND - テープ＆リール（TR） 1913-G3F34MT12J-TRCT-ND - カットテープ（CT） 1913-G3F34MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Navitas Semiconductor, Inc.
メーカー製品番号	G3F34MT12J-TR
商品概要	1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
メーカーの標準リードタイム	20 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 1200 V 68A（Tc） 300W（Tc）面実装 TO-263-7
データシート	データシート

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 104 nC @ 18 V
メーカー Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs（最大） +22V、-10V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2418 pF @ 800 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 300W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 68A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263-7
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 45ミリオーム @ 26A、18V	パッケージ/ケース TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
Id印加時のVgs（th）（最大） 4.3V @ 18mA

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

単価（消費税抜き）:	¥3,295.00000
単価（消費税込み）:	¥3,624.50000

G3F34MT12J-TR