Name: G3F20MT12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F20MT12J-TR-ND
Price: 4155.8 JPY
Availability: InStock

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G3F20MT12J-TR
DigiKey製品番号	1913-G3F20MT12J-TR-ND - テープ＆リール（TR） 1913-G3F20MT12J-TRCT-ND - カットテープ（CT） 1913-G3F20MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Navitas Semiconductor, Inc.
メーカー製品番号	G3F20MT12J-TR
商品概要	1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
メーカーの標準リードタイム	20 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 1200 V 108A（Tc） 448W（Tc）面実装 TO-263-7
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Navitas Semiconductor, Inc.
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	108A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	18V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	26.5ミリオーム @ 40A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4.3V @ 30mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	176 nC @ 18 V
Vgs（最大）	+22V、-10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	4317 pF @ 800 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	448W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-263-7
パッケージ/ケース	TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA