Name: G2R1000MT33J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R1000MT33J-TR-ND
Price: 4645.3 JPY
Availability: InStock

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G2R1000MT33J-TR
DigiKey製品番号	1913-G2R1000MT33J-TR-ND - テープ＆リール（TR） 1913-G2R1000MT33J-TRCT-ND - カットテープ（CT） 1913-G2R1000MT33J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Navitas Semiconductor, Inc.
メーカー製品番号	G2R1000MT33J-TR
商品概要	3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
メーカーの標準リードタイム	20 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 3300 V 5A（Tc） 74W（Tc）面実装 TO-263-7
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.2オーム @ 2A、20V
メーカー Navitas Semiconductor, Inc.	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 2mA
シリーズ LoRing™	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 21 nC @ 20 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） +20V、-5V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 238 pF @ 1000 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 74W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 3300 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 5A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263-7
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 20V	パッケージ/ケース TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA