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製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | onsemi | |
シリーズ | - | |
梱包形態 | トレイ | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | シリコンカーバイド（SiC） | |
構成 | 2 Nチャンネル（デュアル） | |
FET機能 | - | |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 1200V（1.2kV） | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 114A（Tc） | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 14ミリオーム @ 100A、20V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 4.3V @ 40mA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 454nC @ 20V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 4707pF @ 800V | |
電力 - 最大 | 250W（Tj） | |
動作温度 | -40°C～175°C（TJ） | |
取り付けタイプ | シャーシマウント | |
パッケージ/ケース | モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | - | |
ベース品番 |
在庫：29個
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数量
価格はすべてJPYです
トレイ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥20,328.00000 | ¥20,328 |
| 28 | ¥17,574.53571 | ¥492,087 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥20,328.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥22,360.80000 |
日本