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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 4.3V @ 40mA |
メーカー onsemi | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 454nC @ 20V |
梱包形態 トレイ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4707pF @ 800V |
部品状況 アクティブ | 電力 - 最大 250W（Tj） |
技術 シリコンカーバイド（SiC） | 動作温度 -40°C～175°C（TJ） |
構成 2 Nチャンネル（デュアル） | 取り付けタイプ シャーシマウント |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200V（1.2kV） | パッケージ/ケース モジュール |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 114A（Tc） | ベース品番 |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 14ミリオーム @ 100A、20V |
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| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22,164.00000 | ¥22,164 |
| 28 | ¥18,249.39286 | ¥510,983 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥22,164.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥24,380.40000 |
