Name: IXTT170N10P
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT170N10P-ND
Price: 2997.5 JPY
Availability: OutOfStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 198 nC @ 10 V
シリーズ Polar	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6000 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 715W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-268AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 170A（Tc）	パッケージ/ケース TO-268-3、D3PAK（2リード + タブ）、TO-268AA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXTT170
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 9ミリオーム @ 500mA、10V