Name: IXTP96P085T
Brand: IXYS
SKU: IXTP96P085T-ND
Price: 1635.7 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 180 nC @ 10 V
シリーズ TrenchP™	Vgs（最大） ±15V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 13100 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 298W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 85 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 96A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXTP96
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 13ミリオーム@ 48A、10V