Name: IXTN200N10L2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTN200N10L2-ND
Price: 10542.4 JPY
Availability: InStock

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IXTN200N10L2
DigiKey製品番号	238-IXTN200N10L2-ND
メーカー	IXYS
メーカー製品番号	IXTN200N10L2
商品概要	MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 178A（Tc） 830W（Tc）シャーシマウント SOT-227B
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 3mA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 540 nC @ 10 V
シリーズ Linear L2™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 23000 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 830W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプシャーシマウント
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 178A（Tc）	パッケージ/ケース SOT-227-4、miniBLOC
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXTN200
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 11ミリオーム @ 100A、10V