IXTA20N65X は生産中止品です。現在は生産されていません。
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メーカー推奨品

IXTA20N65X2
IXYS
在庫あり: 0
単価 : ¥690.18000
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類似

FCB260N65S3
onsemi
在庫あり: 1,060
単価 : ¥796.00000
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類似

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在庫あり: 6,167
単価 : ¥432.00000
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類似

R6015ENJTL
Rohm Semiconductor
在庫あり: 0
単価 : ¥298.84800
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類似

R6015KNJTL
Rohm Semiconductor
在庫あり: 3,807
単価 : ¥636.00000
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類似

SIHB15N60E-GE3
Vishay Siliconix
在庫あり: 1,240
単価 : ¥730.00000
データシート

類似

SPB17N80C3ATMA1
Infineon Technologies
在庫あり: 6,054
単価 : ¥819.00000
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類似

STB25N80K5
STMicroelectronics
在庫あり: 1,037
単価 : ¥1,044.00000
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Nチャンネル 650 V 20A（Tc） 320W（Tc） 面実装 TO-263AA
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
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IXTA20N65X

DigiKey製品番号
IXTA20N65X-ND
メーカー
IXYS
メーカー製品番号
IXTA20N65X
商品概要
MOSFET N-CH 650V 20A TO263
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 650 V 20A（Tc） 320W（Tc） 面実装 TO-263AA
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 データシート
製品属性
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カテゴリ
Id印加時のVgs（th）（最大）
5.5V @ 250µA
メーカー
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
35 nC @ 10 V
シリーズ
Vgs（最大）
±30V
梱包形態
チューブ
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
1390 pF @ 25 V
部品状況
生産中止品
電力散逸（最大）
320W（Tc）
FETタイプ
動作温度
-55°C～150°C（TJ）
技術
取り付けタイプ
面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
650 V
サプライヤデバイスパッケージ
TO-263AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
パッケージ/ケース
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
ベース品番
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
210ミリオーム @ 10A、10V
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関連リソース
代替品リスト（8）
品番メーカー 在庫数量DigiKey製品番号 単価 代替品のタイプ
IXTA20N65X2IXYS0238-IXTA20N65X2-ND¥690.18000メーカー推奨品
FCB260N65S3onsemi1,060488-FCB260N65S3CT-ND¥796.00000類似
IPB60R280P7ATMA1Infineon Technologies6,167IPB60R280P7ATMA1CT-ND¥432.00000類似
R6015ENJTLRohm Semiconductor0R6015ENJTLCT-ND¥298.84800類似
R6015KNJTLRohm Semiconductor3,807R6015KNJTLCT-ND¥636.00000類似
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