Name: SPB17N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB17N80C3ATMA1TR-ND
Price: 900.9 JPY
Availability: InStock

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SPB17N80C3ATMA1
DigiKey製品番号	SPB17N80C3ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） SPB17N80C3ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） SPB17N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	SPB17N80C3ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 800 V 17A（Tc） 227W（Tc）面実装 PG-TO263-3-2
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SPB17N80C3ATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 1mA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 177 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2300 pF @ 100 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 227W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 17A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SPB17N80
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 290ミリオーム @ 11A、10V

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関連リソース

代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
STB21N90K5	STMicroelectronics	1,276	497-12851-1-ND	¥1,343.00000	直接
FCB290N80	onsemi	69	FCB290N80CT-ND	¥1,341.00000	類似
STB11NM80T4	STMicroelectronics	789	497-STB11NM80T4CT-ND	¥1,446.00000	類似
STB18NM80	STMicroelectronics	7,739	497-10117-1-ND	¥976.00000	類似
STB25N80K5	STMicroelectronics	1,037	497-13640-1-ND	¥1,044.00000	類似