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IXTT74N20P
IXYS
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TO-268
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IXFT58N20

DigiKey製品番号
IXFT58N20-ND
メーカー
IXYS
メーカー製品番号
IXFT58N20
商品概要
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 200 V 58A（Tc） 300W（Tc） 面実装 TO-268AA
データシート
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製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
IXYS
シリーズ
HiPerFET™
梱包形態
チューブ
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
58A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
40ミリオーム @ 29A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
4V @ 4mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
220 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
4400 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
300W（Tc）
動作温度
-55°C～150°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
TO-268AA
パッケージ/ケース
TO-268-3、D3PAK（2リード + タブ）、TO-268AA
ベース品番
IXFT58
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1 品目
IXTT74N20P

IXTT74N20P

MOSFET N-CH 200V 74A TO268

IXYS

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